铁电存储器,铁电存储器最大容量

1、8g运行内存设置多少虚拟内存

1、G运行内存一般设置12288MB的虚拟内存。内存是计算机的重要部件，也称内存储器和主存储器，它用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据。

2、G内存的话，如果是32位的，那么只支持2G，虚拟内存设置为4800；如果是64位的，那么支持2G以上的内存，虚拟内存设置为12000。虚拟内存是计算机系统内存管理的一种技术。

3、g虚拟内存设置多少好初始值和最大值一般情况下初始值设置成512M或者1024M就可以了。最大值是物理内存的5倍，这样算下来就是6144M。

4、一般虚拟内存的大小是物理内存的5倍，但这个不固定，仅供参考。设置时，我们可以将最小值设置为物理内存的1到5倍左右，最大值设置为2到5倍左右。

2、为什么不用铁电存储器

1、铁电存储器，10W+，高档CPU；不同寿命的，决定存储器价格；掩膜存储器单片机应用举例：合泰的触摸按键芯片；小厂的语音芯片；LED灯控制器；……掩膜存储器单片机开发必须使用厂家定制的开发板，成本比较高。

2、改变电压的方向，可使耦极子的方向反转。耦极子的这种可换向性，意味着它们可以在 记忆芯片上表示一个“信息单元”。而且，即使在电压断开时，这些耦极子也会保持在原来的位置，使铁电存储器不用电就能保存数据。

3、外部RAM是用户自己扩展的RAM，也有的单片机内部扩展的外部存储RAM，比如STC12系列的就内嵌了大小不等的扩展RAM。FLASH，一般用于存储程序，也就是做ROM来使用，但是FLASH作为可擦写的存储器，也可以用来保存用户数据。

4、FRAM保存数据不是通过电容上的电荷，而是由存储单元电容中铁电晶体的中心原子位置进行记录。

3、什么是铁电存储器

1、铁电存储器（FRAM）产品将ROM的非易失性数据存储特性和RAM的无限次读写、高速读写以及低功耗等优势结合在一起。

2、半导体FRAM是ferromagnetic random access memory的英文缩写，即铁电存储器，FRAM利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储。

3、铁电存贮器（FRAM）快速擦写和非易失性等特点，令系统工程师可以把现有设计中的SRAM和EEPROM器件整合到一个铁电存贮器（FRAM）里，或者简单地作为SRAM扩展。

4、什么是铁电存储器？摘自：http：//bbs.huazhoucn.com/Topic.aspx？id=19 相对于其它类型的半导体技术而言，铁电存储器具有一些独一无二的特性。传统的主流半导体存储器可以分为两类--易失性和非易失性。

4、铁电存储器的原理

1、铁电效应是指在铁电晶体上施加一定的电场时，晶体中心原子在电场的作用下运动，并达到一种稳定状态；当电场从晶体移走后，中心原子会保持在原来的位置。

2、铁电存贮器（FRAM）可以在数据传递储存在其它存储器之前快速存储数据。在此情况下，信息从一个子系统非实时地传送到另一个子系统去.。

3、铁电存储器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技术一样，是一种非易失性的存储器。铁电存储器在这两类存储类型间搭起了一座跨越沟壑的桥梁--一种非易失性的RAM。

4、铁电存储器的存储原理是基于铁电材料的高介电常数和铁电极化特性，按工作模式可以分为破坏性读出(DRO)和非破坏性读出(NDRO)。

5、FRAM的存储单元主要由电容和场效应管构成，但这个电容不是一般的电容，在它的两个电极板中间沉淀了一层晶态的铁电晶体薄膜。

6、PZT第一性原理计算及其铁电性能研究 【摘要】： 与传统的EEPROM和FLASH挥发性存储器相比，非挥发性铁电存储器(FeRAM)具有抗辐射、低功耗、快速读写操作、低操作电压等优异特性，从而更适合嵌入式应用的要求。